參數(shù)資料
型號： NDM3001
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 3 Phase Brushless Motor Driver（+/-2.9A,+/-30V, 2.5W）(三相無刷電機(jī)驅(qū)動器（漏電流：+/-2.9A,漏源電壓：+/-30V,功耗： 2.5W）)
中文描述： 2900 mA, 30 V, 6 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SOIC-16
文件頁數(shù)： 2/12頁
文件大?。?/td> 250K
代理商： NDM3001
THERMAL CHARACTERISTICS
R
θ
JA
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Q1+Q4 or Q1+Q6 or Q3+Q2 or
Q3+Q6 or Q5+Q2 or Q5+Q4
(Note 1a)
50
°C/W
R
θ
JC
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Q1+Q4 or Q1+Q6 or Q3+Q2 or
Q3+Q6 or Q5+Q2 or Q5+Q4
(Note 1)
20
°C/W
Electrical Characteristics
(T
A
= 25°C unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Conditions
Type
Min
Typ
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
BV
DSS
I
DSS
Drain-Source Breakdown Voltage
V
GS
= 0 V, I
D
= ± 250 μA
V
DS
= ±24 V, V
GS
= 0 V
All
±30
V
Zero Gate Voltage Drain Current
All
±1
μA
T
J
=55
o
C
±10
μA
I
GSS
ON CHARACTERISTICS
(Note 3)
Gate - Body Leakage, Forward
V
GS
= ±20 V, V
DS
= 0 V
All
±100
nA
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250 μA
Q1, Q3, Q5
- 1
-1.6
-2
V
T
J
=125
o
C
- 0.75
-1.3
-1.5
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 μA
Q2, Q4, Q6
1
1.5
2
T
J
=125
o
C
0.75
1.2
1.5
R
DS(ON)
Static Drain-Source
On-Resistance
V
GS
= -10 V, I
D
= -2.9 A
Q1, Q3, Q5
0.19
0.24
T
J
=125
o
C
0.27
0.45
V
GS
= -4.5 V, I
D
= -2.2 A
V
GS
= 10 V, I
D
= 2.9 A
0.3
0.36
Q2, Q4, Q6
0.09
0.115
T
J
=125
o
C
0.126
0.221
V
GS
= 4.5 V, I
D
= 2.2 A
V
GS
= 10 V, V
DS
= -5 V
V
GS
= 10 V, V
DS
= 5 V
0.13
0.16
I
D(on)
On-State Drain Current
Q1, Q3, Q5
-10
A
Q2, Q4, Q6
10
DYNAMIC CHARACTERISTICS
C
iss
Input Capacitance
Q1, Q3, Q5
V
= -15 V, V
GS
= 0 V,
f = 1.0 MHz
Q1, Q3, Q5
260
pF
Q2, Q4, Q6
185
C
oss
Output Capacitance
Q1, Q3, Q5
140
pF
Q2, Q4, Q6 V
DS
=
15 V, V
= 0 V,
f = 1.0 MHz
Q2, Q4, Q6
115
C
rss
Reverse Transfer Capacitance
Q1, Q3, Q5
50
pF
Q2, Q4, Q6
40
NDM3001 Rev.C
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PDF描述
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NDP4050 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（15A, 50V，0.10Ω）(N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管（漏電流15A, 漏源電壓50V，導(dǎo)通電阻0.10Ω）)
NDB4050 0 OHM 1% 1/20W SMT (0402) CHIP RES
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