參數資料
型號： NDH831N
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（5.8A，20V，0.03Ω）(N溝道增強型MOS場效應管（漏電流5.8A, 漏源電壓20V，導通電阻0.03Ω）)
中文描述： 5800 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-8
文件頁數： 5/10頁
文件大?。?/td> 221K
代理商： NDH831N
NDH831N Rev. D
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.92
0.96
1
1.04
1.08
1.12
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
I = 250μA
B
D
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
5
10
30
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation
with Current and Temperature
.
I
S
J
25°C
-55°C
V = 0V
0
5
10
15
20
25
0
1
2
3
4
5
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
I = 5.8A
10V
15V
V = 5V
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
100
200
300
500
1000
2000
3000
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C ss
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature.
Figure 9. Capacitance Characteristics.
Figure 10. Gate Charge Characteristics.
Typical Electrical Characteristics
G
D
S
V
DD
R
L
V
V
IN
OUT
V
GS
DUT
R
GEN
Figure 11. Switching Test Circuit
Figure 12. Switching Waveforms
10%
50%
90%
10%
90%
90%
50%
V
IN
V
OUT
on
off
d(off)
f
r
d(on)
t
t
t
t
t
t
INVERTED
10%
PULSE WIDTH
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PDF描述
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