參數(shù)資料
型號(hào)： NDH831N
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（5.8A，20V，0.03Ω）(N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流5.8A, 漏源電壓20V，導(dǎo)通電阻0.03Ω）)
中文描述： 5800 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-8
文件頁(yè)數(shù)： 4/10頁(yè)
文件大?。?/td> 221K
代理商： NDH831N
NDH831N Rev. D
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
5
10
15
20
25
30
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
3.5
3.0
2.7
V =4.5V
2.5
1.5
2.0
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
D
V = 4.5V
I = 5.8A
R
D
0
5
10
I , DRAIN CURRENT (A)
15
20
25
30
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
D
V = 2.0V
R
D
3.5
4.0
2.7
3.0
2.5
5.0
4.5
0
5
10
I , DRAIN CURRENT (A)
15
20
25
30
0.5
1
1.5
2
D
TJ
25°C
V = 4.5 V
-55°C
R
D
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with Gate
Voltage and Drain Current.
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with Drain
Current and Temperature.
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Gate Threshold Variation with
Temperature.
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
0
5
10
15
20
25
30
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
25°C
125°C
V = 5.0V
TJ
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
G
I = 250μA
V = V
GS
V
t
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PDF描述
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