參數(shù)資料
型號： NDC652P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 2400 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-6
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大?。?/td> 247K
代理商： NDC652P
NDC652P Rev. D1
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.94
0.96
0.98
1
1.02
1.04
1.06
1.08
1.1
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
B
D
I = -250μA
D
0.2
0.4
-V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.6
0.8
1
1.2
0.001
0.01
0.1
1
5
10
-
S
TJ
25°C
-55°C
V = 0V
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
with Temperature
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation with
Source Current and Temperature
Typical Electrical Characteristics
(continued)
0
2
4
Q , GATE CHARGE (nC)
6
8
10
12
0
2
4
6
8
10
-
G
I = -2.4A
V = -5V
-10V
-15V
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
30
50
100
200
500
1000
-V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C ss
D
S
-V
DD
R
L
V
OUT
V
GS
DUT
V
IN
R
GEN
G
10%
50%
90%
10%
90%
90%
50%
V
IN
V
OUT
on
off
d(off)
f
r
d(on)
t
t
t
t
t
t
INVERTED
10%
PULSE WIDTH
Figure 9. Capacitance Characteristics
Figure 10. Gate Charge Characteristics
Figure 11. Switching Test Circuit
Figure 12. Switching Waveforms
相關PDF資料
PDF描述
NDC7001 Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDC7001C Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDC7002 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDC7002N Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDC7003P Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
NDC652P_F095 功能描述:MOSFET -30V 2.4A P-CH ENHANCEMENT MODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDC652P_Q 功能描述:MOSFET SO-6 P-CH LOGIC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDC7001 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDC7001C 功能描述:MOSFET Dual N/P Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDC7001C 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL NP SUPERSOT-6
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*