參數(shù)資料
型號(hào)： NCN6000
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Compact Smart Card Interface IC(智能卡接口集成電路)
中文描述： 緊湊型智能卡接口IC（智能卡接口集成電路）
文件頁(yè)數(shù)： 24/36頁(yè)
文件大小： 358K
代理商： NCN6000
NCN6000
http://onsemi.com
24
Based on the experiments carried out during the
NCN6000 characterization, the best comprise, at time of
printing
this
document,
6.8 F/10 V/Ceramic/X7R capacitor in parallel to achieve
the CRD_VCC filtering. The ESR will not extend 50 m
over the temperature range and the combination of standard
parts provide an acceptable –20% to +20% tolerance,
is
to
use
two
together with a low cost. Obviously, the capacitor must be
SMD type to achieve the extremely low ESR and ESL
necessary for this application. Figure 21 illustrates the
CRD_VCC ripple observed in the NCN6000 demo board
depending upon the type of capacitor used to filter the output
voltage.
Table 5. Ceramic/Electrolytic Capacitors Comparison
Manufacturers
Type/Series
Format
Max Value
Tolerance
Typ. Z @ 500 kHz
MURATA
CERAMIC/GRM225
0805
10 F/6.3 V
+80%/20%
30 m
VISHAY
Tantalum/594C/593C
10 F/16 V
450 m
VISHAY
Electrolytic/94SV
10 F/10 V
20%/+20%
400 m
Electrolytic Low Cost
10 F/10 V
35%/+50%
2.0
Top Trace = Electrolytic or Tantalum 10 F
Bottom Trace = X7R 10
F ceramic
The high ripple pulse across CRD_VCC is the consequence
of the large ESR of the electrolytic capacitor.
Figure 21. CRD_VCC Ripple as a Function of the Capacitor Technology
C= 10 F
Electrolytic or Tantalum
C= 10 F
Ceramic
NOTES: Rload = 100 , Vbat = 5.0 V, CRD_VCC = 5.0 V
Cout = 10 F/X7R, CRD_CLK = Stop High
Figure 23. CRD_VCC Voltage Ripple
Figure 22. External Capacitor Current Charge and
CRD_VCC Voltage Ripple.
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