參數(shù)資料
型號(hào)： MX29F800TMI-12
廠商： MACRONIX INTERNATIONAL CO LTD
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 8M-BIT [1Mx8/512Kx16] CMOS FLASH MEMORY
中文描述： 512K X 16 FLASH 5V PROM, 120 ns, PDSO44
封裝： 0.500 INCH, PLASTIC, MO-175, SOP-44
文件頁(yè)數(shù)： 41/42頁(yè)
文件大?。?/td> 693K
代理商： MX29F800TMI-12
41
P/N:PM0578
MX29F800T/B
REV. 1.7, JUL. 24, 2001
REVISION HISTORY
Revision No. Description
1.1
Page
P16,37
P11
P10
Date
MAY/09/2000
Modified chip erase time to 13/35 sec
Corrected content error
Add erase suspend ready max. 100us in ERASE SUSPEND's
section at page10
Corrected content error at TOP BOOT SECTOR ADDRESS TABLE P3
To add the fast access time to 70ns
Modify Erase/Program Cycles:10,000 Cycles-->100,000 Cycles
To modify "Package Information"
To add I-grade (TA = -40
°
C TO 85
°
C)
1.2
MAY/29/2000
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
JUN/08/2000
DEC/04/2000
FEB/12/2001
JUN/15/2001
JUL/24/2001
P1,14,16,38
P1,37
P39~40
P13~16,38
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MX29F800T 8M-BIT [1Mx8/512Kx16] CMOS FLASH MEMORY
MX29F800TMC-12 8M-BIT [1Mx8/512Kx16] CMOS FLASH MEMORY
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MX29F800TMC-90 8M-BIT [1Mx8/512Kx16] CMOS FLASH MEMORY
MX29F800TTC-12 8M-BIT [1Mx8/512Kx16] CMOS FLASH MEMORY
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參數(shù)描述
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MX29F800TTA-12 制造商:MCNIX 制造商全稱(chēng):Macronix International 功能描述:8M-BIT [1Mx8/512Kx16] CMOS FLASH MEMORY
MX29F800TTA-90 制造商:MCNIX 制造商全稱(chēng):Macronix International 功能描述:8M-BIT [1Mx8/512Kx16] CMOS FLASH MEMORY
MX29F800TTC-12 制造商:MCNIX 制造商全稱(chēng):Macronix International 功能描述:8M-BIT [1Mx8/512Kx16] CMOS FLASH MEMORY
MX29F800TTC-70 制造商:MCNIX 制造商全稱(chēng):Macronix International 功能描述:8M-BIT [1Mx8/512Kx16] CMOS FLASH MEMORY
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