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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MX29F800TMI-12 |
| 廠商： | MACRONIX INTERNATIONAL CO LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8M-BIT [1Mx8/512Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 512K X 16 FLASH 5V PROM, 120 ns, PDSO44 |
| 封裝： | 0.500 INCH, PLASTIC, MO-175, SOP-44 |
| 文件頁數(shù)： | 37/42頁 |
| 文件大?。?/td> | 693K |
| 代理商： | MX29F800TMI-12 |
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37
P/N:PM0578
MX29F800T/B
REV. 1.7, JUL. 24, 2001
MIN.
MAX.
Input Voltage with respect to GND on all pins except I/O pins
-1.0V
13.5V
Input Voltage with respect to GND on all I/O pins
-1.0V
Vcc + 1.0V
Current
-100mA
+100mA
Includes all pins except Vcc. Test conditions: Vcc = 5.0V, one pin at a time.
LIMITS
TYP.(2)
PARAMETER
MIN.
MAX.(3)
UNITS
Sector Erase Time
3
12
sec
Chip Erase Time
13
35
sec
Byte Programming Time
7
210
us
Word Programming Time
12
360
us
Chip Programming Time
8
24
sec
Erase/Program Cycles
100,000
Cycles
LATCHUP CHARACTERISTICS
ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE(1)
Note:
1.Not 100% Tested, Excludes external system level over head.
2.Typical values measured at 25
°
C, 5V.
3.Maximum values measured at 25
°
C, 4.5V.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MX29F800T | 8M-BIT [1Mx8/512Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| MX29F800TMC-12 | 8M-BIT [1Mx8/512Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| MX29F800TMC-70 | 8M-BIT [1Mx8/512Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| MX29F800TMC-90 | 8M-BIT [1Mx8/512Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| MX29F800TTC-12 | 8M-BIT [1Mx8/512Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MX29F800TMI-90 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:8M-BIT [1Mx8/512Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| MX29F800TTA-12 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:8M-BIT [1Mx8/512Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| MX29F800TTA-90 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:8M-BIT [1Mx8/512Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| MX29F800TTC-12 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:8M-BIT [1Mx8/512Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| MX29F800TTC-70 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:8M-BIT [1Mx8/512Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
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