參數(shù)資料
型號(hào)： MWI35-12T7T
廠商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 60 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： SIXPACK-28
文件頁(yè)數(shù)： 6/7頁(yè)
文件大?。?/td> 202K
代理商： MWI35-12T7T
2008 IXYS All rights reserved
6 - 7
20081209c
MWI 35-12T7T
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
Typ.switchingenergyvs.collectorcurrent
Typ.switchingenergyvs.gateresistance
Typ. turn-on gate charge
Reverserecoverycharacteristics
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
0
5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75 80
Ic, If [A]
E
[mJ]
Eon
Eoff
Erec
Rg = 27W , Vce = 600V, Vge = +/-15V, Tvj = 125°C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75 80 85 90
Rg [W ]
E
[mJ]
Eon
Eoff
Erec
Ic, If = 35A, Vce = 600V, Vge = +/-15V, Tvj = 125°C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220 240 260
Qg [nC]
Vge
[[V]
Ic = 35A, Vce = 600V
82W
27W
56W
27W
82W
56W
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
800
900
1000 1100 1200 1300 1400 1500 1600
dif/dt [A/s]
Irr
[A]
200
210
220
230
240
250
260
270
280
290
300
310
320
330
340
350
360
370
380
390
400
410
420
430
440
450
trr
[ns]
Irr
trr
If = 35A, Vce = 600V, Vge = +/-15V, Tvj = 125°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MWI450-17E9 540 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
MWI50-12AS 52 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MWI35-12AS 37 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MWI75-12AS 73 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MWT-10GN KA BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET
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參數(shù)描述
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MWI451-17E9 功能描述:IGBT 模塊 6-PK IGBT MODULE IN E9-PK 1700V 475A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MWI45-12T6K 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 45 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類(lèi)型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝:
MWI50-06A7 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 50 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類(lèi)型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝:
MWI50-06A7T 功能描述:IGBT 模塊 50 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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