參數(shù)資料
型號(hào)： MWI35-12T7T
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 60 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： SIXPACK-28
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大?。?/td> 202K
代理商： MWI35-12T7T
2008 IXYS All rights reserved
3 - 7
20081209c
MWI 35-12T7T
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
Temperature Sensor NTC
Ratings
Symbol
Definitions
Conditions
min.
typ. max.
Unit
R
25
B
25/50
resistance
T
C =
25°C
4.75
5.0
3375
5.25
k
W
K
Module
Ratings
Symbol
Definitions
Conditions
min.
typ. max.
Unit
T
VJ
T
VJM
T
stg
operating temperature
max. virtual junction temperature
storage temperature
-40
125
150
125
°C
V
ISOL
isolation voltage
I
ISOL <1mA;50/60Hz
2500
V~
CTI
comparative tracking index
-
M
d
mounting torque (M5)
2.7
3.3
Nm
d
S
d
A
creep distance on surface
strike distance through air
6
mm
R
pin-chip
resistance pin to chip
5
mW
R
thCH
thermal resistance case to heatsink
withheatsinkcompound
0.02
K/W
Weight
180
g
Equivalent Circuits for Simulation
Ratings
Symbol
Definitions
Conditions
min.
typ. max.
Unit
V
0
R
0
IGBT
T1 - T6
T
VJ = 125°C
1.0
25.7
V
m
W
V
0
R
0
Diode
D1 - D6
T
VJ = 125°C
1.15
23
V
m
W
IGBT
Diode
R
1
R
2
0.132
0.0724
0.3413
0.2171
R
3
R
4
0.3078
0.1078
0.3475
0.2941
t
1
t
2
0.0025
0.03
0.0025
0.03
t
3
t
4
0.03
0.08
0.03
0.08
I
V
0
R
0
R1
R2
R3
R4
C1
C2
C3
C4
τi Ri Ci
=
Zth t
( )
1
n
i
Ri 1 exp
t
τi
∑
=
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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MWI45-12T6K 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 45 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝:
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