參數(shù)資料
型號： MTU18N50E
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： JFETs
英文描述： 18 A, 500 V, 0.31 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 160K
代理商： MTU18N50E
MTU18N50E
2
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TJ = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain–to–Source Breakdown Voltage
(VGS = 0 Vdc, ID = 0.25 mAdc)
Temperature Coefficient (Positive)
V(BR)DSS
500
—
482
—
Vdc
mV/
°C
Zero Gate Voltage Drain Current
(VDS = 500 Vdc, VGS = 0 Vdc)
(VDS = 500 Vdc, VGS = 0 Vdc, TJ =125°C)
IDSS
—
10
100
Adc
Gate–Body Leakage Current (VGS = ± 20 Vdc, VDS = 0 Vdc)
IGSS
—
100
nAdc
ON CHARACTERISTICS (1)
Gate Threshold Voltage
(VDS = VGS, ID = 250 Adc)
Threshold Temperature Coefficient (Negative)
VGS(th)
2.0
—
2.8
7.1
4.0
—
Vdc
mV/
°C
Static Drain–to–Source On–Resistance (VGS = 10 Vdc, ID = 9.0 Adc)
RDS(on)
—
0.25
0.31
Ohms
Drain–to–Source On–Voltage (VGS = 10 Vdc)
(ID = 18 Adc)
(ID = 9.0 Adc, TJ = 125°C)
VDS(on)
—
6.7
5.9
Vdc
Forward Transconductance (VDS = 15 Vdc, ID = 9.0 Adc)
gFS
6
14
—
mhos
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
(V
25 Vdc V
0 Vdc
Ciss
—
3090
4330
pF
Output Capacitance
(VDS = 25 Vdc, VGS = 0 Vdc,
f = 1.0 MHz)
Coss
—
390
550
Transfer Capacitance
f = 1.0 MHz)
Crss
—
105
210
SWITCHING CHARACTERISTICS (2)
Turn–On Delay Time
(V
250 Vd
I
18 Ad
td(on)
—
25
50
ns
Rise Time
(VDD = 250 Vdc, ID = 18 Adc,
VGS =10Vdc
tr
—
74
150
Turn–Off Delay Time
VGS = 10 Vdc,
RG = 9.1 )
td(off)
—
90
180
Fall Time
G
)
tf
—
68
140
Gate Charge
(See Figure 8)
(V
400 Vd
I
18 Ad
QT
—
91
130
nC
(See Figure 8)
(VDS = 400 Vdc, ID = 18 Adc,
Q1
—
18
—
( DS
, D
,
VGS = 10 Vdc)
Q2
—
43
—
Q3
—
34
—
SOURCE–DRAIN DIODE CHARACTERISTICS
Forward On–Voltage
(IS = 18 Adc, VGS = 0 Vdc)
(IS = 18 Adc, VGS = 0 Vdc, TJ =125°C)
VSD
—
0.89
0.78
1.3
—
Vdc
Reverse Recovery Time
(I
18 Ad
V
0 Vd
trr
—
475
—
ns
(IS = 18 Adc, VGS = 0 Vdc,
ta
—
245
—
( S
,
GS
,
dIS/dt = 100 A/s)
tb
—
218
—
Reverse Recovery Stored Charge
QRR
—
6.5
—
C
INTERNAL PACKAGE INDUCTANCE
Internal Drain Inductance
(Measured from contact screw on tab to center of die)
(Measured from the drain lead 0.25
″ from package to center of die)
LD
—
3.5
4.5
—
nH
Internal Source Inductance
(Measured from the source lead 0.25
″ from package to source bond pad)
LS
—
7.5
—
(1) Pulse Test: Pulse Width
≤ 300 s, Duty Cycle ≤ 2%.
(2) Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
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PDF描述
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MTV25N50E-RL 25 A, 500 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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MTU1D0509MC 功能描述:DC/DC轉(zhuǎn)換器 1W 5Vin 9Vout 111mA Dual SMT RoHS:否 制造商:Murata 產(chǎn)品: 輸出功率: 輸入電壓范圍:3.6 V to 5.5 V 輸入電壓（標(biāo)稱）: 輸出端數(shù)量:1 輸出電壓（通道 1）:3.3 V 輸出電流（通道 1）:600 mA 輸出電壓（通道 2）: 輸出電流（通道 2）: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體尺寸:
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