參數(shù)資料
型號(hào)： MTP1N60E
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： 1 A, 600 V, 8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： CASE 221A-09, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大小： 116K
代理商： MTP1N60E
MTP1N60E
http://onsemi.com
6
SAFE OPERATING AREA
TJ, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (°C)
E AS
,SINGLE
PULSE
DRAINT
OSOURCE
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
0.1
10
1000
VDS, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
10
AV
ALANCHE
ENERGY
(mJ)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
RDS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
0.001
25
50
75
100
125
50
ID = 1 A
1
0.1
1
100
150
t, TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
r(t)
,NORMALIZED
EFFECTIVE
TRANSIENT
THERMAL
RESIST
ANCE
RθJC(t) = r(t) RθJC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) TC = P(pk) RθJC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
trr
ta
tp
IS
0.25 IS
TIME
IS
tb
1 ms
10 ms
100 s
dc
40
30
20
0
1
0.1
0.01
1.0E05
1.0E04
1.0E03
1.0E02
1.0E01
1.0E+00
1.0E+01
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
0.01
10 s
10
VGS = 20 V
SINGLE PULSE
TC = 25°C
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PDF描述
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