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參數資料
| 型號： | MTD6P10E |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.66 OHM |
| 中文描述： | 6 A, 100 V, 0.66 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件頁數： | 6/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 261K |
| 代理商： | MTD6P10E |
6
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
SAFE OPERATING AREA
TJ, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
EA
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
A
I
VGS = 10 V
SINGLE PULSE
TC = 25
°
C
ID = 6 A
Figure 13. Thermal Response
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
trr
ta
tp
IS
0.25 IS
TIME
IS
tb
100
10
1.0
0.1
100
10
1.0
0.1
200
160
120
80
40
0
25
50
75
100
125
150
100
μ
s
1 ms
10 ms
dc
RDS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
t, TIME (s)
r
T
1.0E–05
1.0E–04
1.0E–03
1.0E–02
1.0E–01
1.0E+00
1.0E+01
1
0.1
0.01
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
R
θ
JC(t) = r(t) R
θ
JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk) R
θ
JC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
SINGLE PULSE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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