參數(shù)資料
型號: MTM55N10
廠商: MOTOROLA INC
元件分類: JFETs
英文描述: N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
中文描述: 55 A, 100 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE
文件頁數(shù): 1/5頁
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代理商: MTM55N10
相關PDF資料
PDF描述
MTM60N06 N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
MTP1302 TMOS POWER FET 42 AMPERES 30 VOLTS RDS(on) = 22 mohm
MTP1306 TMOS POWER FET 75 AMPERES 30 VOLTS RDS(on) = 0.0065 OHM
MTP15N06V TMOS POWER FET 15 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.12 OHM
MTV32N20E TMOS POWER FET 32 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 0.075 OHM
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MTM5N35 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350 V/400V
MTM5N40 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350 V/400V
MTM60N06 制造商:Motorola 功能描述:TO-204AE, MOSFET 60A 60V
MTM684100LBF 功能描述:MOSFET PCH MOS FET FLT LD 2.9x2.8mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
MTM684110LBF 功能描述:MOSFET PCH+PCH MOS FET FLT LD 2.9x2.8mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube