參數(shù)資料
型號(hào)： MTD6N20E-T4
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： 6 A, 200 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： DPAK-3
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大?。?/td> 84K
代理商： MTD6N20E-T4
MTD6N20E
http://onsemi.com
6
SAFE OPERATING AREA
TJ, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (°C)
E AS
,SINGLE
PULSE
DRAINT
OSOURCE
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
VDS, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
AV
ALANCHE
ENERGY
(mJ)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
ID = 6 A
t, TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
r(t)
,NORMALIZED
EFFECTIVE
TRANSIENT
THERMAL
RESIST
ANCE
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
trr
ta
tp
IS
0.25 IS
TIME
IS
tb
100
10
1.0
0.1
1000
10
1.0
0.1
60
50
40
30
20
0
25
50
75
100
125
150
1.0E05
1.0E04
1.0E03
1.0E02
1.0E01
1.0E+00
1.0E+01
100
10
100 ms
10 ms
1 ms
10 ms
dc
RDS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
VGS = 20 V
SINGLE PULSE
TC = 25°C
1
0.1
0.01
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
RqJC(t) = r(t) RqJC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) TC = P(pk) RqJC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
SINGLE PULSE
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PDF描述
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MTD6P10ET4 6 A, 100 V, 0.66 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MTD9N10ET4 9 A, 100 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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