參數(shù)資料
型號： MTD6N15
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount(功率場效應(yīng)晶體管)
中文描述： 6 A, 150 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： CASE 369C-01, DPAK-3
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 70K
代理商： MTD6N15
MTD6N15
http://onsemi.com
5
C
rss
GATETOSOURCE OR DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Capacitance Variation
C
V
GS
V
DS
V
DS
= 0
0
2000
1600
1200
25
20
10
0
5
10
Figure 12. Gate Charge versus
GateToSource Voltage
Q
g
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
16
0
0
8
12
8
4
12
16
20
5
15
400
V
DS
= 50 V
V
T
J
= 25
°
C
I
D
= 6 A
75 V
120 V
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 0
4
800
15
30
35
C
iss
C
oss
RESISTIVE SWITCHING
PULSE GENERATOR
V
DD
V
out
V
in
R
gen
50
z = 50
50
DUT
R
L
Figure 13. Switching Test Circuit
t
off
OUTPUT, V
out
INVERTED
t
on
t
r
t
d(off)
t
f
t
d(on)
90%
90%
10%
INPUT, V
in
10%
50%
90%
50%
PULSE WIDTH
Figure 14. Switching Waveforms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MTD6N20E Power MOSFET 6 Amps, 200 Volts(6A, 200V功率MOSFET)
MTG-12864A MTG-12864A
MTG-12864D MTG-12864D
MTG-32240A IC SW HIGH SIDE PROGRAMMBL 8SOIC
MTM12N10 POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MTD6N15-1 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount
MTD6N15T4 功能描述:MOSFET 150V 6A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
MTD6N15T4G 功能描述:MOSFET NFET DPAK 150V 6A 300mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
MTD6N15T4GV 功能描述:MOSFET Single N-Ch 150V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
MTD6N20 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET N D-PAK
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