參數(shù)資料
型號(hào)： MTD6N15
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount(功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管)
中文描述： 6 A, 150 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： CASE 369C-01, DPAK-3
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 70K
代理商： MTD6N15
MTD6N15
http://onsemi.com
3
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
2
1.6
1.2
0.8
0.4
0
50
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. OnRegion Characteristics
ID
T
J
= 25
°
C
24
20
16
12
8
4
0
60
50
40
30
20
10
0
10 V
9 V
8 V
7 V
6 V
5 V
V
DS
= V
GS
I
D
= 1 mA
50
0
50
100
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 3. GateThreshold Voltage Variation
With Temperature
V
3.6
3.2
2.8
2.4
2
ID
V
GS
, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4. Transfer Characteristics
V
DS
= 10 V
T
J
= 25
°
C
55
°
C
100
°
C
14
12
10
8
6
4
2
0
4
6
8
10
2
1.6
1.2
0.8
0.4
050
0
50
100
150
200
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 5. Breakdown Voltage Variation
With Temperature
V
(
V
GS
= 0 V
I
D
= 0.25 mA
R
I
D
, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 6. OnResistance versus Drain Current
V
GS
= 10 V
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
20
16
12
8
4
0
T
J
= 100
°
C
25
°
C
55
°
C
R
(
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 7. OnResistance Variation
With Temperature
V
GS
= 10 V
I
D
= 3 A
0
50
100
150
200
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MTD6N20E Power MOSFET 6 Amps, 200 Volts(6A, 200V功率MOSFET)
MTG-12864A MTG-12864A
MTG-12864D MTG-12864D
MTG-32240A IC SW HIGH SIDE PROGRAMMBL 8SOIC
MTM12N10 POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MTD6N15-1 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount
MTD6N15T4 功能描述:MOSFET 150V 6A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
MTD6N15T4G 功能描述:MOSFET NFET DPAK 150V 6A 300mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
MTD6N15T4GV 功能描述:MOSFET Single N-Ch 150V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
MTD6N20 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET N D-PAK
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