參數(shù)資料
型號(hào)： MTD6N151
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： 6 A, 150 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： CASE 369D-01, DPAK-3
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大?。?/td> 141K
代理商： MTD6N151
MTD6N15
http://onsemi.com
5
Crss
GATETOSOURCE OR DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Capacitance Variation
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
VGS
VDS
VDS = 0
0
2000
1600
1200
25
20
10
0
5
10
Figure 12. Gate Charge versus
GateToSource Voltage
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
16
0
08
12
8
4
12
16
20
5
15
400
VDS = 50 V
V
GS
,GA
TE
SOURCE
VOL
TAGE
(VOL
TS)
TJ = 25°C
ID = 6 A
75 V
120 V
TJ = 25°C
VGS = 0
4
800
15
30
35
Ciss
Coss
RESISTIVE SWITCHING
PULSE GENERATOR
VDD
Vout
Vin
Rgen
50
Ω
z = 50
Ω
50
Ω
DUT
RL
Figure 13. Switching Test Circuit
toff
OUTPUT, Vout
INVERTED
ton
tr
td(off)
tf
td(on)
90%
10%
INPUT, Vin
10%
50%
90%
50%
PULSE WIDTH
Figure 14. Switching Waveforms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MTD6N15T4 6 A, 150 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MTD6N20E1 6 A, 200 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MTD6N20E-T4 6 A, 200 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MTD6N20ET4 6 A, 200 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MTD6N20ET5G 6 A, 200 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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