參數(shù)資料
型號(hào)： MTD2955V
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 12 A, 60 V, 0.23 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 6/10頁(yè)
文件大?。?/td> 148K
代理商： MTD2955V
6
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
SAFE OPERATING AREA
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
Figure 13. Thermal Response
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
trr
ta
tp
IS
0.25 IS
TIME
IS
tb
TJ, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
EA
0.1
10
100
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
A
I
25
50
75
100
125
VGS = 15 V
SINGLE PULSE
TC = 25
°
C
ID = 12 A
1.0
150
1.0
100
0.1
0
75
25
10
dc
100
μ
s
1 ms
10 ms
RDS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
50
175
100
125
150
175
200
225
t, TIME (s)
r
T
R
θ
JC(t) = r(t) R
θ
JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk) R
θ
JC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
1.0
0.1
0.01
1.0E–05
0.2
D = 0.5
0.05
0.01
SINGLE PULSE
0.1
1.0E–04
1.0E–03
1.0E–02
1.0E–01
1.0E+00
1.0E+01
0.02
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PDF描述
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