參數(shù)資料
型號： MTD20N06VT4
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： JFETs
英文描述： 20 A, 60 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大?。?/td> 257K
代理商： MTD20N06VT4
MTD20N06V
6
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
SAFE OPERATING AREA
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
Figure 13. Thermal Response
r(t)
,NORMALIZED
EFFECTIVE
TRANSIENT
THERMAL
RESIST
ANCE
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
trr
ta
tp
IS
0.25 IS
TIME
IS
tb
0.1
100
RDS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
10
VGS = 20 V
SINGLE PULSE
TC = 25°C
1
10
100
0.1
dc
100
s
1 ms
10 ms
10
s
R
θJC(t) = r(t) RθJC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk) R
θJC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
t, TIME (s)
1.00
0.10
0.01
0.2
D = 0.5
0.05
0.01
SINGLE PULSE
0.1
1.0E–05
1.0E–04
1.0E–03
1.0E–02
1.0E–01
1.0E+00
1.0E+01
0.02
TJ, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (°C)
E AS
,SINGLE
PULSE
DRAIN–T
O–SOURCE
A
V
ALANCHE
ENERGY
(mJ)
25
50
75
100
125
ID = 20 A
150
0
200
140
120
100
160
80
60
40
20
175
180
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MTD20N06VT4 20 A, 60 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MTD20P03HDL1G 19 A, 30 V, 0.099 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MTD20P03HDL 19 A, 30 V, 0.099 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MTD20P03HDL1 19 A, 30 V, 0.099 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MTD20P03HDLT4 19 A, 30 V, 0.099 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MTD20P03 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET LOGIC LEVEL 19 AMPERES 30 VOLTS RDS(on) = 0.099 OHM
MTD20P03HDL 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET LOGIC LEVEL 19 AMPERES 30 VOLTS RDS(on) = 0.099 OHM
MTD20P03HDL1 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
MTD20P03HDL1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
MTD20P03HDLT4 功能描述:MOSFET P-CH 30V 19A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*