參數(shù)資料
型號： MTD20N06VT4
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： JFETs
英文描述： 20 A, 60 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大?。?/td> 257K
代理商： MTD20N06VT4
MTD20N06V
3
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
35
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On–Region Characteristics
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
9
2
3
4
8
0
10
20
30
35
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
VGS, GATE–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0
10
20
30
40
5
0
0.02
0.04
0.06
0.12
R
DS(on)
,DRAIN–T
O–SOURCE
RESIST
ANCE
(OHMS)
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On–Resistance versus Drain Current
and Temperature
Figure 4. On–Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
0
10
20
30
40
0
50
10
35
Figure 5. On–Resistance Variation with
Temperature
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain–To–Source Leakage
Current versus Voltage
I DSS
,LEAKAGE
(nA)
TJ = 125°C
100
°C
TJ = 25°C
VDS ≥ 10 V
TJ = –55°C
25
°C
100
°C
TJ = 100°C
25
°C
– 55
°C
VGS = 0 V
VGS = 10V
VGS = 10 V
40
5
7 V
6 V
5 V
4 V
8 V
9 V
40
5
6
7
0.08
0.1
35
60
R
DS(on)
,DRAIN–T
O–SOURCE
RESIST
ANCE
(OHMS)
0
10
20
30
40
35
0.04
0.05
0.08
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
15 V
TJ = 25°C
VGS = 10 V
0.06
0.07
5
R
DS(on)
,DRAIN–T
O–SOURCE
RESIST
ANCE
(NORMALIZED)
–50
0
0.25
0.5
0.75
2.0
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
–25
0
25
50
75
100
150
VGS = 10 V
ID = 10 A
1
1.25
1.5
1.75
125
175
1
3
5
7
9
15
25
15
25
0.14
0.16
0.18
15
25
0.09
0.1
0.11
15
25
5
15
20
25
30
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MTD20N06VT4 20 A, 60 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MTD20P03HDL1G 19 A, 30 V, 0.099 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MTD20P03HDL 19 A, 30 V, 0.099 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MTD20P03HDL1 19 A, 30 V, 0.099 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MTD20P03HDLT4 19 A, 30 V, 0.099 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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