參數(shù)資料
型號(hào)： MTB50P03HDL
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Power MOSFET 50 Amps, 30 Volts, Logic Level(50A, 30V, D2PAK, P溝道功率MOSFET)
中文描述： 50 A, 30 V, 0.025 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： CASE 418B-04, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 94K
代理商： MTB50P03HDL
MTB50P03HDL
http://onsemi.com
3
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
R
(
R
R
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
VDS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
ID
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
ID
VDS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
VGS, GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
ID
0
20
40
80
100
60
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
20
40
80
100
Figure 1. On–Region Characteristics
1.5
1.9
2.3
2.7
3.5
4.3
Figure 2. Transfer Characteristics
0
20
40
60
80
100
0.015
0.017
0.021
0.025
0.029
0.015
0.017
0.019
0.021
0.022
Figure 3. On–Resistance versus Drain Current
and Temperature
Figure 4. On–Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
-50
0.85
0.95
1.05
1.25
1.35
0
5
10
20
25
30
100
1000
Figure 5. On–Resistance Variation with
Temperature
Figure 6. Drain–to–Source Leakage
Current versus Voltage
-25
0
25
50
75
100
125
150
60
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
3.9
0.027
0.023
0.019
0
20
40
60
80
100
0.020
0.018
0.016
1.15
15
VGS = 10 V
8 V
4 V
100
°
C
25
°
C
TJ = -55
°
C
TJ = 25
°
C
10 V
VGS = 5 V
VGS = 5 V
-55
°
C
VGS = 0 V
TJ = 125
°
C
100
°
C
3 V
3.5 V
TJ = 25
°
C
6 V
3.1
VGS = 5 V
ID = 25 A
TJ = 100
°
C
25
°
C
10
2.5 V
5 V
4.5 V
VDS
≥
5 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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MTB50P03HDLT4 功能描述:MOSFET 30V 50A Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
MTB50P03HDLT4G 功能描述:MOSFET PFET D2PAK 30V 50A 25mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
MTB50SA 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Full-Size (7.3mm or 4.7mm height)
MTB50SAM 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Full-Size (7.3mm or 4.7mm height)
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