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參數(shù)資料
| 型號： | MT58L256V18P1 |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 256K x 18，Pipelined, SCD SyncBurst SRAM(4Mb，流水線式，單循環(huán)取消選擇，同步脈沖靜態(tài)存儲器) |
| 中文描述： | 256 × 18，流水線，SCD的SyncBurst的SRAM（4MB，在流水線式，單循環(huán)取消選擇，同步脈沖靜態(tài)存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 2/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 445K |
| 代理商： | MT58L256V18P1 |
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2
4Mb: 256K x 18, 128K x 32/36 Pipelined, SCD SyncBurst SRAM
MT58L256L18P1_2.p65 – Rev. 8/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
4Mb: 256K x 18, 128K x 32/36
PIPELINED, SCD SYNCBURST SRAM
PRELIMINARY
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
256K x 18
SA0, SA1, SA
ADDRESS
REGISTER
ADV#
CLK
BINARY
COUNTER AND
LOGIC
CLR
Q1
Q0
ADSC#
18
18
16
18
BWb#
BWa#
BWE#
CE#
CE2
CE2#
18
BYTE “b”
WRITE REGISTER
BYTE “a”
WRITE REGISTER
ENABLE
REGISTER
18
SA0'
SA1'
OE#
SENSE
2MEMORY
ARRAY
ADSP#
9
9
2
SA0, SA1
MODE
GW#
DQs
DQPa
DQPb
2
18
OUTPUT
REGISTERS
18
E
18
BYTE “b”
WRITE DRIVER
BYTE “a”
WRITE DRIVER
OUTPUT
BUFFERS
PIPELINED
ENABLE
9
9
INPUT
REGISTERS
NOTE:
Functional block diagrams illustrate simplified device operation. See truth tables, pin descriptions, and timing diagrams
for detailed information.
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
128K x 32/36
ADDRESS
REGISTER
ADV#
CLK
BINARY
COUNTER
CLR
Q1
Q0
ADSP#
ADSC#
MODE
17
17
15
17
BWE#
GW#
CE#
CE2
CE2#
OE#
BYTE “d”
WRITE REGISTER
BYTE “c”
WRITE REGISTER
BYTE “b”
WRITE REGISTER
BYTE “a”
WRITE REGISTER
ENABLE
REGISTER
4
OUTPUT
REGISTERS
AMPS
OUTPUT
BUFFERS
E
BYTE “a”
WRITE DRIVER
BYTE “b”
WRITE DRIVER
BYTE “c”
WRITE DRIVER
BYTE “d”
WRITE DRIVER
PIPELINED
ENABLE
INPUT
REGISTERS
SA0, SA1, SA
BWb#
BWc#
BWd#
BWa#
SA0'
SA1'
SA0, SA1
12(x32)
12(x36)
ARRAY
DQs
DQPa
DQPd
9
36
36
36
36
36
9
9
9
9
9
9
9
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT5C128K8A1513A | S13A 1 MEG SRAM DIE |
| MT5C64K16A13A | S13A 1 MEG SRAM DIE |
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| MT8804AE | CMOS 8 x 4 Analog Switch Array |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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