參數(shù)資料
型號(hào)： MT58L128L36P1T-5
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： SRAM
英文描述： 128K X 36 CACHE SRAM, 2.8 ns, PQFP100
封裝： PLASTIC, MS-026, TQFP-100
文件頁(yè)數(shù)： 29/30頁(yè)
文件大?。?/td> 481K
代理商： MT58L128L36P1T-5
8
4Mb: 256K x 18, 128K x 32/36 Pipelined, SCD SyncBurst SRAM
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
MT58L256L18P1_F.p65 – Rev. F, Pub. 1/03 EN
2003, Micron Technology, Inc.
4Mb: 256K x 18, 128K x 32/36
PIPELINED, SCD SYNCBURST SRAM
PIN LAYOUT (TOP VIEW)
165-PIN FBGA
A
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2
CE#
CE2
VDDQ
NC
VDDQ
SA
NC
DQb
VSS
NC
VDD
DQb
DQPb
NC
MODE
(LBO#)
BWb#
NC
VSS
VDD
VSS
SA
NC
BWa#
VSS
NC
DNU
CE2#
CLK
VSS
NC
SA1
SA0
BWE#
GW#
VSS
DNU
ADSC#
OE# (G#)
VSS
VDD
VSS
SA
ADV#
ADSP#
VDDQ
NC
VDDQ
SA
NC
DQa
NC
SA
NC
DQPa
DQa
ZZ
NC
SA
TOP VIEW
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1
x18
x32/x36
*No Connect (NC) is used on the x32 version. Parity (DQPx) is used on the x36 version.
NOTE: 1. Pins 11P, and 6N reserved for address pin expansion; 8Mb, and 16Mb respectively.
2. The 165-ball FBGA is not recommended for new designs in the 4Mb density.
A
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A
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N
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2
CE#
CE2
VDDQ
NC
VDDQ
SA
NC
DQc
VSS
DQd
NC
NC/DQPc*
DQc
VDD
DQd
NC/DQPd*
NC
MODE
(LBO#)
BWc#
BWd#
VSS
VDD
VSS
SA
BWb#
BWa#
VSS
NC
DNU
CE2#
CLK
VSS
NC
SA1
SA0
BWE#
GW#
VSS
DNU
ADSC#
OE# (G#)
VSS
VDD
VSS
SA
ADV#
ADSP#
VDDQ
NC
VDDQ
SA
NC
DQb
NC
DQa
NC
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NC
NC/DQPb*
DQb
ZZ
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NC/DQPa*
NC
SA
TOP VIEW
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PDF描述
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