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參數(shù)資料
| 型號： | MSASC25W100KRV |
| 廠商： | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 25 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封裝： | HERMETIC SEALED, CERAMIC, THINKEY2, 1 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 139K |
| 代理商： | MSASC25W100KRV |
Datasheet# MSC1034F
DESCRIPTION
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP.
MAX
UNIT
Reverse (Leakage)
IR25
VR= 100 Vdc, Tc= 25
°C
7
500
A
Current
IR125
VR= 100 Vdc, Tc= 125
°C
2
7
mA
Forward Voltage
VF1
IF= 5A, Tc= 25
°C
650
700
mV
pulse test,
VF2
IF= 10A, Tc= 25
°C
750
780
mV
pw= 300
s
VF3
IF= 25A, Tc= 25
°C
830
910
mV
d/c
≤ 2%
VF4
IF= 50A, Tc= 25
°C
940
-
mV
VF5
IF= 10A, Tc= 125
°C
590
630
mV
VF6
IF= 25A, Tc= 125
°C
690
750
mV
Junction Capacitance
Cj1
VR= 10 Vdc
370
pF
Cj2
VR= 5 Vdc
500
600
pF
Breakdown Voltage
BVR
IR= 1 mA, Tc= 25
°C
100
110
V
IR= 1 mA, Tc= -55
°C
100
V
Average VF Characteristic Curves
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
0
5
10
15
20
25
30
IF(A)
VF(
V
)
Electrical Parameters
MSASC25W100K
MSASC25W100KR
TC=25C
TC=125C
TC=-55C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MSASC25W100KRS | 25 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MSB709-RT3 | 100 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MSB709-ST1 | 100 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MSC1000MP | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MSC1004M | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MSASC25W45K | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:LOW LEAKAGE SCHOTTKY DIODE |
| MSASC25W45KR | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:LOW LEAKAGE SCHOTTKY DIODE |
| MSASC75H45F | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:LOW VOLTAGE DROP SCHOTTKY DIODE |
| MSASC75H45FR | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:LOW VOLTAGE DROP SCHOTTKY DIODE |
| MSASC75W100F | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:STANDARD RECTIFIER - Trays |
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