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參數資料
| 型號： | MSB709-RT3 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 100 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 27K |
| 代理商： | MSB709-RT3 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MSB709-ST1 | 100 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MSC1000MP | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MSC1004M | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| MSC1015MP | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| MSC1015MP | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MSB710 | 制造商:ETL 制造商全稱:E-Tech Electronics LTD 功能描述:PNP General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount |
| MSB710QT1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:PNP General Purpose Amplifier Transistors Surface Mount |
| MSB710-QT1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:PNP General Purpose Amplifier Transistors Surface Mount |
| MSB710-RT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MSB710-RT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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