參數資料
型號： MRFG35002N6T1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 466-03, PLD1.5, 4 PIN
文件頁數： 9/12頁
文件大?。?/td> 188K
代理商： MRFG35002N6T1
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFG35002N6T1
TYPICAL CHARACTERISTICS
NOTE: Data is generated from the test circuit shown.
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
30
4
14
0
50
Pout, OUTPUT POWER (dBm)
Figure 5. Single-Carrier W-CDMA Power Gain
and Drain Efficiency versus Output Power
40
12
10
8
20
6
30
VDS = 6 Vdc, IDQ = 65 mA, f = 3550 MHz
SingleCarrier WCDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
12
18
24
610
Gps
ηD
30
60
20
0
25
5
IRL
ACPR
Pout, OUTPUT POWER (dBm)
Figure 6. Single-Carrier W-CDMA ACPR and
Input Return Loss versus Output Power
ACPR,
ADJACENT
CHANNEL
POWER
RA
TIO
(dBc)
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
IRL,
30
40
50
15
6
10
12
18
24
VDS = 6 Vdc, IDQ = 65 mA, f = 3550 MHz
SingleCarrier WCDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
20
LIFETIME
BUY
LAST
ORDER
8
DEC
07
LAST
SHIP
8
JUN
08
相關PDF資料
PDF描述
MRFG35003MT1 S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
MRFG35005ANT1 C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
MRFG35005MT1 S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
MRFG35010AR5 C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
MRFG35010R1 S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
相關代理商/技術參數
參數描述
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