參數(shù)資料
型號(hào)： MRFG35002N6T1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 466-03, PLD1.5, 4 PIN
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大?。?/td> 188K
代理商： MRFG35002N6T1
MRFG35002N6T1
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
G
T,
TRANSDUCER
GAIN
(dB)
Pout, OUTPUT POWER (dBm)
Figure 3. Transducer Gain and Drain
Efficiency versus Output Power
30
4
14
0
50
VDS = 6 Vdc, IDQ = 75 mA, f = 3550 MHz
SingleCarrier WCDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
12
10
40
8
30
6
20
5
10
15
20
25
GT
ΓS = 0.813é115.4_, ΓL = 0.748é147.8_
30
60
20
0
20
0
IRL
ACPR
Pout, OUTPUT POWER (dBm)
Figure 4. Single-Carrier W-CDMA ACPR and
Input Return Loss versus Output Power
ACPR,
ADJACENT
CHANNEL
POWER
RA
TIO
(dBc)
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
IRL,
5
30
40
50
15
6
10
12
18
24
ηD
VDS = 6 Vdc, IDQ = 75 mA, f = 3550 MHz
SingleCarrier WCDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
ΓS = 0.813é115.4_, ΓL = 0.748é147.8_
NOTE: All data is referenced to package lead interface. ΓS and ΓL are the impedances presented to the DUT.
All data is generated from load pull, not from the test circuit shown.
LIFETIME
BUY
LAST
ORDER
8
DEC
07
LAST
SHIP
8
JUN
08
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRFG35003MT1 S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
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參數(shù)描述
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