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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MRFG35002N6T1 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 466-03, PLD1.5, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 188K |
| 代理商： | MRFG35002N6T1 |
MRFG35002N6T1
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
PRODUCT DOCUMENTATION
Refer to the following documents to aid your design process.
Application Notes
AN1955: Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers
REVISION HISTORY
The following table summarizes revisions to this document.
Revision
Date
Description
2
Jan. 2008
Listed replacement part, p. 1
Added Product Documentation and Revision History, p. 11
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFG35003MT1 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| MRFG35005ANT1 | C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| MRFG35005MT1 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| MRFG35010AR5 | C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| MRFG35010R1 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MRFG35003ANT1 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 3W 12V GAASPLD1.5 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
| MRFG35003M6R5 | 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
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