參數(shù)資料
型號(hào)： MRFG35002N6T1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 466-03, PLD1.5, 4 PIN
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大?。?/td> 188K
代理商： MRFG35002N6T1
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFG35002N6T1
Figure 2. MRFG35002N6 Test Circuit Component Layout
MRFG35002M6, Rev. 2
3.5 GHz - 3.6 GHz
C13
C12
C11
C12
C10
C9
C8
C7
R1
C6
C5
C2
C1
C3
C4
C23
C24
C21
C22
C20
C19
C14
C15
C16
C17
C18
LIFETIME
BUY
LAST
ORDER
8
DEC
07
LAST
SHIP
8
JUN
08
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRFG35003MT1 S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
MRFG35005ANT1 C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
MRFG35005MT1 S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
MRFG35010AR5 C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
MRFG35010R1 S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MRFG35003ANR5 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 3W 12V GAASPLD1.5 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
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MRFG35003M6R5 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
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