參數(shù)資料
型號(hào): MRFE6S9135HSR3
廠商: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類(lèi): 功率晶體管
英文描述: UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝: ROHS COMPLIANT, NI-880S, CASE 465C-02, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù): 8/12頁(yè)
文件大?。?/td> 442K
代理商: MRFE6S9135HSR3
MRFE6S9135HR3 MRFE6S9135HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Figure 2. MRFE6S9135HHR3(HSR3) Test Circuit Component Layout
R3
MRFE6S9135H
Rev. 1
CUT
OUT
AREA
B1
R2
C4
C5
C6
C3
R1
C1
C2
C19
C15
C16 C17
C18
C7
C9 C10
C11 C12
C13
C14
C25
C23
C22
C21
C20
C8
C24
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PDF描述
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參數(shù)描述
MRFE6S9135HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 135W NI880S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S9160HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 160W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S9160HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 160W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S9160HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 160W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S9160HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 160W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray