參數(shù)資料
型號： MRFE6S9046NR1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-270, CASE 1486-03, WB, 4 PIN
文件頁數(shù)： 2/21頁
文件大?。?/td> 630K
代理商： MRFE6S9046NR1
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6S9046NR1 MRFE6S9046GNR1
ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS
29
P3dB = 48.22 dBm (66 W)
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD = 28 Vdc, IDQ = 300 mA, Pulsed CW
10
μsec(on), 10% Duty Cycle, f = 920 MHz
48
46
44
30
32
31
33
Actual
Ideal
P1dB = 47.57 dBm (57 W)
49
47
43
P
out
,OUTPUT
POWER
(dBm)
NOTE: Load Pull Test Fixture Tuned for Peak P1dB Output Power @ 28 V
45
50
51
52
53
28
27
26
23
25
24
Test Impedances per Compression Level
Zsource
Ω
Zload
Ω
P1dB
7.83 - j2.01
1.25 - j0.52
Figure 18. Pulsed CW Output Power
versus Input Power @ 28 V @ 920 MHz
29
P3dB = 47.89 dBm (62 W)
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD = 28 Vdc, IDQ = 300 mA, Pulsed CW
10
μsec(on), 10% Duty Cycle, f = 960 MHz
47
45
43
30
32
31
33
Actual
Ideal
P1dB = 47.25 dBm (53 W)
48
46
42
P
out
,OUTPUT
POWER
(dBm)
NOTE: Load Pull Test Fixture Tuned for Peak P1dB Output Power @ 28 V
44
49
50
51
52
28
27
26
23
25
24
Test Impedances per Compression Level
Zsource
Ω
Zload
Ω
P1dB
3.79 - j6.51
4.30 - j2.52
Figure 19. Pulsed CW Output Power
versus Input Power @ 28 V @ 960 MHz
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PDF描述
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參數(shù)描述
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