參數(shù)資料
型號： MRFE6P9220HR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-860C3, CASE 375G-04, 4 PIN
文件頁數(shù)： 10/12頁
文件大小： 403K
代理商： MRFE6P9220HR3
MRFE6P9220HR3
7
Freescale Semiconductor
RF Product Device Data
TYPICAL CHARACTERISTICS
500
14
24
0
75
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 7. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
VDD = 28 Vdc
IDQ = 1600 mA
f = 880 MHz
100
10
22
20
16
60
45
30
η
D,
DRAIN
EFFICIENCY
(%)
Gps
ηD
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
1
TC = 30_C
85
_C
25
_C
30
_C
25
_C
85
_C
Figure 8. Power Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
VDD = 24 V
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
400
14.5
20.5
50
19.5
15.5
200
16.5
17.5
IDQ = 1600 mA
f = 880 MHz
32 V
0
18.5
100
150
250
300
350
28 V
Figure 9. MTTF Factor versus Junction Temperature
18
15
250
108
90
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
This above graph displays calculated MTTF in hours when the device
is operated at VDD = 28 Vdc, Pout = 47 W Avg., and ηD = 30%.
MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select
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107
106
105
110
130
150
170
190
MTTF
(HOURS)
210
230
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PDF描述
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MRFE6S8046NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 45W GSM RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S9045GNR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 45W TO270-2G RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S9045N 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
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