參數(shù)資料
型號(hào)： MRF9030D
廠(chǎng)商： Motorola, Inc.
英文描述： The RF Sub-Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： 該射頻亞微米MOSFET的線(xiàn)射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型MOSFET的外側(cè)
文件頁(yè)數(shù)： 6/12頁(yè)
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代理商： MRF9030D
MRF9030LR1 MRF9030LSR1
6
MOTOROLA RF DEVICE DATA
100
8
20
1
60
60
G
ps
η
IMD
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 8. Power Gain, Efficiency and IMD
versus Output Power
Gp
,
η
18
40
16
20
14
0
12
20
10
40
10
I
I
V
DD
= 26 Vdc
I
DQ
= 250 mA
f1 = 945 MHz, f2 = 945.1 MHz
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF9030LR1 The RF Sub-Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF9030LSR1 The RF Sub-Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF9030MR1 The RF Sub-Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF9060 4 MEGABIT 3.3 VOLT SERIAL CONFIGURATION
MRF9060R1 4 MEGABIT 3.3 VOLT SERIAL CONFIGURATION
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF9030GMR1 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
MRF9030GNR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 30W RF PWR FET RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF9030LR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 30W RF PWR FET NI-360L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF9030LR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 30W RF PWR FET NI-360L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF9030LSR1 功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN NI-360S RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類(lèi)型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱(chēng):MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
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