參數(shù)資料
型號(hào)： MRF9030D
廠商： Motorola, Inc.
英文描述： The RF Sub-Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： 該射頻亞微米MOSFET的線射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型MOSFET的外側(cè)
文件頁(yè)數(shù)： 4/12頁(yè)
文件大?。?/td> 549K
代理商： MRF9030D
MRF9030LR1 MRF9030LSR1
4
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Z11
C17
Figure 1. 945 MHz Broadband Test Circuit Schematic
RF
INPUT
RF
OUTPUT
Z1
Z2
V
GG
C1
L1
V
DD
B1
B2
C1, C8, C13, C14
C2, C4
C3
C5, C6
C7, C15, C16
C9, C10
C11
C12
C17
L1, L2
Z1
Z2
Short Ferrite Bead
Long Ferrite Bead
47 pF Chip Capacitors, B Case
0.8 pF to 8.0 pF Trim Capacitors
3.9 pF Chip Capacitor, B Case
7.5 pF Chip Capacitors, B Case
10
μ
F, 35 V Tantalum Capacitors
10 pF Chip Capacitors, B Case
9.1 pF Chip Capacitor, B Case
0.6 pF to 4.5 pF Trim Capacitor
220
μ
F, 50 V Electrolytic Capacitor
12.5 nH Surface Mount Inductors
0.260
″
x 0.060
″
Microstrip
0.240
″
x 0.060
″
Microstrip
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Z10
Z11
Z12
Z13
PCB
0.500
″
x 0.100
″
Microstrip
0.215
″
x 0.270
″
Microstrip
0.315
″
x 0.270
″
Microstrip
0.160
″
x 0.270
″
x 0.520
″
, Taper
0.285
″
x 0.520
″
Microstrip
0.140
″
x 0.270
″
Microstrip
0.450
″
x 0.270
″
Microstrip
0.250
″
x 0.060
″
Microstrip
0.720
″
x 0.060
″
Microstrip
0.490
″
x 0.060
″
Microstrip
0.290
″
x 0.060
″
Microstrip
Taconic RF-35-0300, 30 mil,
ε
r
= 3.55
Z3
Z8
Z9
Z7
Z5
Z6
L2
B2
Z4
Z10
C15
Figure 2. 945 MHz Broadband Test Circuit Component Layout
B1
C1
C2
C3
C5
C7
C8
C9
C10
C6
C11
C12
C13
C14
C15 C16
C17
L1
L2
Rev02
900 MHz
MRF9030
C7
C2
C5
C16
C9
Z12
Z13
C4
C13
C
+
+
+
+
DUT
C8
C14
C3
C4
C6
C10
C11
C12
V
GG
V
DD
RF INPUT
RF OUTPUT
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF9030LR1 The RF Sub-Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF9030LSR1 The RF Sub-Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF9030MR1 The RF Sub-Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF9060 4 MEGABIT 3.3 VOLT SERIAL CONFIGURATION
MRF9060R1 4 MEGABIT 3.3 VOLT SERIAL CONFIGURATION
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF9030GMR1 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
MRF9030GNR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 30W RF PWR FET RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF9030LR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 30W RF PWR FET NI-360L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF9030LR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 30W RF PWR FET NI-360L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF9030LSR1 功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN NI-360S RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*