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參數(shù)資料
| 型號： | MRF8S21200HR6 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, NI-1230, CASE 375D-05, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 13/14頁 |
| 文件大小： | 580K |
| 代理商： | MRF8S21200HR6 |
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8S21200HR6 MRF8S21200HSR6
ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS
36
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD =28 Vdc,IDQ = 1400 mA, Pulsed CW, 10 μsec(on), 10% Duty Cycle
57
55
53
37
58
56
50
P out
,O
UT
PU
T
POWER
(d
Bm)
NOTE: Load Pull Test Fixture Tuned for Peak P1dB Output Power @ 28 V
54
59
61
35
33
41
32
31
60
52
51
30
Ideal
Actual
34
38
39
40
f = 2110 MHz
f = 2170 MHz
f = 2140 MHz
f = 2170 MHz
f = 2110 MHz
f = 2140 MHz
f
(MHz)
P1dB
P3dB
Watts
dBm
Watts
dBm
2110
231
53.6
276
54.4
2140
230
53.6
279
54.5
2170
229
53.6
277
54.4
Test Impedances per Compression Level
f
(MHz)
Zsource
Zload
2110
P1dB
2.14 -- j5.14
0.77 -- j1.44
2140
P1dB
3.28 -- j6.37
0.75 -- j1.52
2170
P1dB
5.59 -- j7.20
0.67 -- j1.41
Figure 11. Pulsed CW Output Power
versus Input Power @ 28 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF8S23120HR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S23120HSR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S26060HR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S26060HSR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S26120HR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF8S21200HR6_10 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
| MRF8S21200HSR5 | 功能描述:射頻無線雜項 HV8 2.1GHZ 48W NI1230HS RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel |
| MRF8S21200HSR6 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.1GHZ 48W NI1230HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF8S23120H | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
| MRF8S23120HR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.3GHZ 120W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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