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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MRF8S21200HR6 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, NI-1230, CASE 375D-05, 4 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 11/14頁(yè) |
| 文件大小： | 580K |
| 代理商： | MRF8S21200HR6 |
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6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8S21200HR6 MRF8S21200HSR6
TYPICAL CHARACTERISTICS
1
ACPR
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 6. Single--Carrier W--CDMA Power Gain, Drain
Efficiency and ACPR versus Output Power
--10
10
22
0
60
50
40
30
20
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
ηD
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
10
100
10
--60
AC
PR
(d
Bc)
20
18
0
--20
Figure 7. Broadband Frequency Response
3
21
1750
f, FREQUENCY (MHz)
VDD =28 Vdc
Pin =0 dBm
IDQ = 1400 mA
12
9
1850
GAIN
(d
B)
18
Gain
1950
2050
2150
2350
2550
IRL
--18
0
--3
--6
--9
--12
IRL
(dB)
--15
16
14
12
--50
--40
--30
6
15
Gps
VDD =28 Vdc,IDQ = 1400 mA
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF
2140 MHz
2450
2250
2170 MHz
f = 2110 MHz
2140 MHz
2170 MHz
2110 MHz
2140 MHz
2170 MHz
2110 MHz
300
W--CDMA TEST SIGNAL
0.0001
100
0
PEAK--TO--AVERAGE (dB)
Figure 8. CCDF W--CDMA IQ Magnitude
Clipping, Single--Carrier Test Signal
10
1
0.1
0.01
0.001
24
6
8
PR
OBABIL
ITY
(%
)
W--CDMA. ACPR Measured in 3.84 MHz
Channel Bandwidth @ ±5MHz Offset.
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01%
Probability on CCDF
Input Signal
10
--60
--100
10
(dB
)
--20
--30
--40
--50
--70
--80
--90
3.84 MHz
Channel BW
7.2
1.8
5.4
3.6
0
--1.8
--3.6
--5.4
--9
9
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 9. Single--Carrier W--CDMA Spectrum
--7.2
--ACPR in 3.84 MHz
Integrated BW
+ACPRin3.84MHz
Integrated BW
--10
0
13
5
7
9
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PDF描述 |
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