參數(shù)資料
型號： MRF8S21120HR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-780, CASE 465-06, 2 PIN
文件頁數(shù)： 13/14頁
文件大?。?/td> 505K
代理商： MRF8S21120HR3
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8S21120HR3 MRF8S21120HSR3
ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS
35
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD =28 Vdc,IDQ = 850 mA, Pulsed CW,
10 μsec(on), 10% Duty Cycle
52
50
48
36
38
37
39
Actual
Ideal
53
51
47
P out
,O
UT
PU
T
POWER
(d
Bm)
NOTE: Load Pull Test Fixture Tuned for Peak P1dB Output Power @ 28 V
49
54
56
57
58
34
33
32
29
40
31
30
55
2110 MHz
2140 MHz
2170 MHz
2140 MHz
2170 MHz
f
(MHz)
P1dB
P3dB
Watts
dBm
Watts
dBm
2110
155
51.9
174
52.4
2140
158
52.0
186
52.7
2170
155
51.9
182
52.6
Test Impedances per Compression Level
f
(MHz)
Zsource
Zload
2110
P1dB
3.73 -- j8.14
1.29 -- j3.01
2140
P1dB
4.93 -- j8.59
1.32 -- j3.16
2170
P1dB
7.50 -- j9.37
1.40 -- j3.28
Figure 10. Pulsed CW Output Power
versus Input Power @ 28 V
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PDF描述
MRF8S21140HSR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S21140HR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S21172HR5 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S21172HR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S21200HR6 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
MRF8S21120HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.1GHZ 120W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S21120HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.1GHZ 120W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S21120HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.1GHZ 120W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S21140HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF FET HV8 2GHZ 140W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S21140HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF FET HV8 2GHZ 140W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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