參數(shù)資料
型號(hào)： MRF8S21120HR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-780, CASE 465-06, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 12/14頁(yè)
文件大小： 505K
代理商： MRF8S21120HR3
MRF8S21120HR3 MRF8S21120HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
VDD =28 Vdc,IDQ = 850 mA, Pout =28 W Avg.
f
MHz
Zsource
Zload
2060
4.33 -- j7.00
1.85 -- j4.10
2080
4.30 -- j6.60
1.90 -- j3.90
2100
4.28 -- j6.40
1.95 -- j3.70
2120
4.24 -- j6.00
2.05 -- j3.45
2140
4.22 -- j5.80
2.09 -- j3.30
2160
4.22 -- j5.60
2.50 -- j3.05
2180
4.21 -- j5.20
2.70 -- j2.90
2200
4.20 -- j5.00
3.00 -- j2.70
2220
4.15 -- j4.80
3.20 -- j2.60
Zsource = Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured from
drain to ground.
Figure 9. Series Equivalent Source and Load Impedance
Z source
Z load
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF8S21140HSR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S21140HR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S21172HR5 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S21172HR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8S21200HR6 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF8S21120HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.1GHZ 120W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S21120HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.1GHZ 120W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S21120HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.1GHZ 120W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S21140HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF FET HV8 2GHZ 140W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8S21140HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF FET HV8 2GHZ 140W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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