參數(shù)資料
型號(hào)： MRF8S21120HR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-780, CASE 465-06, 2 PIN
文件頁數(shù)： 10/14頁
文件大?。?/td> 505K
代理商： MRF8S21120HR3
MRF8S21120HR3 MRF8S21120HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
IR
L,
IN
PU
T
RETU
RN
LO
SS
(d
B)
2060
IRL
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 2. Output Peak--to--Average Ratio Compression (PARC)
Broadband Performance @ Pout = 28 Watts Avg.
0
--12
--24
17.3
18.1
18
17.9
--38
37
36
35
33
--33
--34
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
ηD
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B) 17.8
17.7
17.6
17.5
17.4
2080
2100
2120
2140
2160
2180
2200 2220
34
--35
--30
PARC
PA
RC
(d
B)
--1.2
--1.3
--1.4
--1.5
--1.7
AC
PR
(d
Bc)
Figure 3. Intermodulation Distortion Products
versus Two--Tone Spacing
TWO--TONE SPACING (MHz)
10
--20
--30
--50
1
100
IM
D,
INT
ERM
O
DULA
TIO
N
DIST
O
RT
ION
(dBc
)
--40
IM3--L
IM5--U
IM7--U
VDD =28 Vdc,Pout = 80 W (PEP), IDQ = 850 mA
Two--Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 2140 MHz
Figure 4. Output Peak--to--Average Ratio
Compression (PARC) versus Output Power
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
--1
--3
--5
20
0
--2
OU
TPU
T
CO
MPR
ESSION
AT
0.
01
%
PROBABILITY
ON
CCDF
(dB)
0
40
60
100
0
60
40
30
20
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
ηD
ACPR
PARC
AC
PR
(d
Bc)
--65
--5
--25
--15
--35
19
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
17
18
16
15
13
Gps
--2 dB = 36 W
--3 dB = 48 W
--60
--10
IM7--L
17.2
17.1
--36
--37
--18
--1.6
14
--4
80
--45
50
--1 dB = 26 W
--6
--55
10
IM5--L
IM3--U
VDD =28 Vdc,IDQ = 850 mA
f = 2140 MHz
Single--Carrier W--CDMA
3.84 MHz Channel Bandwidth, Input Signal
PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01%
Probability on CCDF
VDD =28 Vdc,Pout =28 W (Avg.),IDQ = 850 mA
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel
Bandwidth
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PDF描述
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