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參數(shù)資料
| 型號： | MRF8S19260HSR6 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, CASE 375J-02, NI-1230S-8, 8 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 13/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 483K |
| 代理商： | MRF8S19260HSR6 |
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8S19260HR6 MRF8S19260HSR6
ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS
35
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD =30 Vdc,IDQ = 1600 mA, Pulsed CW, 10 μsec(on) 10% Duty Cycle
56
54
52
36
57
55
49
P out
,O
UT
PU
T
POWER
(d
Bm)
NOTE: Load Pull Test Fixture Tuned for Peak P1dB Output Power @ 30 V
53
58
60
34
32
40
31
30
59
51
50
29
Ideal
Actual
33
37
38
39
1990 MHz
1930 MHz
1960 MHz
1990 MHz
1960 MHz
1930 MHz
f
(MHz)
P1dB
P3dB
Watts
dBm
Watts
dBm
1930
316
55.0
380
55.8
1960
316
55.0
380
55.8
1990
324
55.1
389
55.9
Test Impedances per Compression Level
f
(MHz)
Zsource
Zload
1930
P1dB
6.70 -- j3.02
0.56 -- j1.05
1960
P1dB
8.54 + j0.58
0.53 -- j1.03
1990
P1dB
5.46 + j3.80
0.58 -- j1.01
Figure 11. Pulsed CW Output Power
versus Input Power @ 30 V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF8S21100HR5 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S21100HR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S21100HSR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S21120HR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S21140HSR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF8S21100HR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.1GHZ 100W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF8S21100HR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.1GHZ 100W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF8S21100HSR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.1GHZ 100W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF8S21100HSR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.1GHZ 100W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF8S21120HR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.1GHZ 120W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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