參數(shù)資料
型號： MRF6V2300NR1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1486-03, WB, 4 PIN
文件頁數(shù)： 16/19頁
文件大?。?/td> 1185K
代理商： MRF6V2300NR1
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6V2300NR1 MRF6V2300NBR1
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 10. Power Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
VDD =20 V
25 V
400
14
28
0
200
50
18
16
100
150
24
22
26
IDQ = 900 mA
f = 220 MHz
35 V
40 V
50 V
20
250
300
350
45 V
35
60
10
25_C
TC =--30_C
85_C
25
15
50
45
40
Pin, INPUT POWER (dBm)
Figure 11. Power Output versus Power Input
P out
,O
UT
PU
T
POWER
(d
Bm)
VDD =50 Vdc
IDQ = 900 mA
f = 220 MHz
20
30
55
22
29
5
10
80
10
28
26
24
70
60
50
40
30
20
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 12. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
ηD
27
25
23
100
600
25_C
TC =--30_C
85_C
--32
--28
--29
--30
--31
--33
IMD3
(dBc
)
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
240
160
IMD3
Gps
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 13. VHF Broadcast Broadband Performance
230
220
210
200
190
180
170
25
24
15
65
55
45
40
30
20
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
22
20
18
16
15
23
21
19
17
60
50
35
25
ηD
VDD =50 V,Pout = 300 W (Peak)
IDQ = 1100 mA, Tone--Spacing = 100 kHz
Gps
VDD =50 Vdc
IDQ = 900 mA
f = 220 MHz
25_C
--30_C
30 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6V3090NBR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF6V3090NR5 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
MRF6V3090NBR5 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF6V4300NR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
MRF6V4300NBR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
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參數(shù)描述
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