參數(shù)資料
型號： MRF6V14300HSR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, CASE 465A-06, NI-780S, 2 PIN
文件頁數(shù)： 8/10頁
文件大小： 637K
代理商： MRF6V14300HSR3
MRF6V14300HR3 MRF6V14300HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Zo =10
Zload
Zsource
f = 1200 MHz
f = 1400 MHz
f = 1200 MHz
f = 1400 MHz
VDD =50 Vdc,IDQ = 150 mA, Pout = 330 W Peak
f
MHz
Zsource
Zload
1200
2.70 -- j4.10
2.97 -- j2.66
1300
4.93 -- j2.66
2.85 -- j2.40
1400
7.01 -- j2.87
3.17 -- j1.78
Zsource = Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Figure 13. Series Equivalent Source and Load Impedance
Z source
Z load
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MRF6V14300MSR5 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
MRF6V2010GNR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 10W TO270-2GN RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6V2010GNR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 10W TO270-2GN RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6V2010N 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
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