參數(shù)資料
型號： MRF6S18100NBR1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1484-04, WB-4, 4 PIN
文件頁數(shù)： 6/21頁
文件大小： 764K
代理商： MRF6S18100NBR1
14
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S18100NR1 MRF6S18100NBR1
PACKAGE DIMENSIONS
相關PDF資料
PDF描述
MRF6S18100NR1 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
MRF6S18140HR3 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF6S18140HSR3 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF6S19060NR1 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
MRF6S19060NBR1 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MRF6S18100NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 1990MHZ 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S18100NR1_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S18140HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 1.8GHZ 28V 29W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S18140HR3_09 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S18140HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 1.8GHZ 28V 29W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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