參數資料
型號： MRF6S18100NBR1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1484-04, WB-4, 4 PIN
文件頁數： 4/21頁
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代理商： MRF6S18100NBR1
12
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S18100NR1 MRF6S18100NBR1
TYPICAL CHARACTERISTICS — 1805-1880 MHZ
45
60
65
70
75
1780
85
Figure 22. Spectral Regrowth at 400 kHz and
600 kHz versus Frequency
SPECTRAL
REGROWTH
@
400
kHz
AND
600
kHz
(dBc)
1800
1820
1840
1860
55
1880
1900
1920
75
45
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
50
55
60
65
70
Figure 23. Spectral Regrowth at 400 kHz
versus Output Power
SPECTRAL
REGROWTH
@
400
kHz
(dBc)
20
40
60
80
TC = 25_C
85
60
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
70
75
80
20
Figure 24. Spectral Regrowth at 600 kHz
versus Output Power
SPECTRAL
REGROWTH
@
600
kHz
(dBc)
40
60
80
65
f, FREQUENCY (MHz)
50
80
VDD = 28 Vdc
IDQ = 700 mA
f = 1960 MHz
Pout = 60 W Avg.
42 W Avg.
25 W Avg.
60 W Avg.
25 W Avg.
42 W Avg.
SR @ 400 kHz
SR @ 600 kHz
VDD = 28 Vdc, IDQ = 700 mA
f = 1840 MHz, EDGE Modulation
VDD = 28 Vdc, IDQ = 700 mA
f = 1840 MHz, EDGE Modulation
TC = 25_C
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PDF描述
MRF6S18100NR1 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
MRF6S18140HR3 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF6S18140HSR3 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF6S19060NR1 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
MRF6S19060NBR1 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
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