參數(shù)資料
型號(hào)： MRF5S9101MBR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 3/16頁(yè)
文件大小： 463K
代理商： MRF5S9101MBR1
MRF5S9101NR1 MRF5S9101NBR1 MRF5S9101MR1 MRF5S9101MBR1
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 5. Electrical Characteristics
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical GSM EDGE Performances
(In Freescale GSM EDGE Test Fixture, 50
ο
hm system) V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 50 W Avg.,
I
DQ
= 650 mA, 869 MHz<Frequency<894 MHz, 920 MHz<Frequency<960 MHz
Power Gain
G
ps
η
D
—
18
—
dB
Drain Efficiency
—
42
—
%
Error Vector Magnitude
EVM
—
2.3
—
% rms
Spectral Regrowth at 400 kHz Offset
SR1
—
-63
—
dBc
Spectral Regrowth at 600 kHz Offset
SR2
—
-78
—
dBc
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5S9101MR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF5S9101NBR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF5S9101NR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6522-70R3 The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF6P18190HR6 RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF5S9101MR1 功能描述:MOSFET RF N-CH 26V 100W TO2704 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類(lèi)型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱(chēng):MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF5S9101N 制造商:-- 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-270
MRF5S9101NBR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 100W 900MHZ26V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5S9101NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 100W 900MHZ26V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5S9150HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 900MHZ 150W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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