參數(shù)資料
型號(hào)： MRF5S9101MBR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 15/16頁
文件大小： 463K
代理商： MRF5S9101MBR1
MRF5S9101NR1 MRF5S9101NBR1 MRF5S9101MR1 MRF5S9101MBR1
15
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TO-272 WB-4
PLASTIC
MRF5S9101NBR1(MBR1)
ééééééé
ééééééé
ééééééé
ééééééé
ééééééé
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ééééééé
ééééééé
ééééééé
ééééééé
ééééééé
ééééééé
CASE 1484-02
ISSUE B
NOTES:
1. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
2. INTERPRET DIMENSIONS AND TOLERANCES PER
ASME Y14.5M1994.
3. DATUM PLANE H IS LOCATED AT TOP OF LEAD
AND IS COINCIDENT WITH THE LEAD WHERE THE
LEAD EXITS THE PLASTIC BODY AT THE TOP OF
THE PARTING LINE.
4. DIMENSIONS "D" AND "E1" DO NOT INCLUDE
MOLD PROTRUSION. ALLOWABLE PROTRUSION
IS .006 PER SIDE. DIMENSIONS "D" AND "E1" DO
INCLUDE MOLD MISMATCH AND ARE
DETERMINED AT DATUM PLANE H.
5. DIMENSION "b1" DOES NOT INCLUDE DAMBAR
PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR
PROTRUSION SHALL BE .005 TOTAL IN EXCESS
OF THE "b1" DIMENSION AT MAXIMUM MATERIAL
CONDITION.
6. DATUMS A AND B TO BE DETERMINED AT
DATUM PLANE H.
7. DIMENSION A2 APPLIES WITHIN ZONE "J" ONLY.
8. HATCHING REPRESENTS THE EXPOSED AREA OF
THE HEAT SLUG.
DATUM
PLANE
Y
Y
DIM
A
A1
A2
MIN
.100
.039
.040
MAX
.104
.043
.042
MIN
2.54
0.99
1.02
MAX
2.64
1.09
1.07
MILLIMETERS
INCHES
D2
E
E1
.600
.551
.353
.559
.357
15.24
14.2
9.07
E2
E3
.270
.346
.350
6.86
8.79
8.89
D
D1
.928
.810 BSC
.932
23.57
20.57 BSC
23.67
14
8.97
b1
c1
r1
.164
.007
.063
.106 BSC
.004
.170
.011
.068
4.17
.18
1.60
2.69 BSC
.10
4.32
.28
1.73
e
aaa
B
A
E1
D
4X
b1
aaa
D1
E
GATE LEAD
M
C A
M
aaa
C A
D2
E2
VIEW Y-Y
4X
e
F
.025 BSC
0.64 BSC
A1
C
H
c1
A
ZONE J
SEATING
PLANE
PIN 5
2X
r1
B
DRAIN LEAD
F
A2
7
NOTE 8
1
2
3
4
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. DRAIN
3. GATE
4. GATE
5. SOURCE
E3
E3
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PDF描述
MRF5S9101MR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF5S9101NBR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF5S9101NR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6522-70R3 The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF6P18190HR6 RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
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MRF5S9101N 制造商:-- 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-270
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MRF5S9150HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 900MHZ 150W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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