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參數(shù)資料
| 型號： | MRF5S9101MBR1 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistors |
| 中文描述： | 射頻功率場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 10/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 463K |
| 代理商： | MRF5S9101MBR1 |
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5S9101NR1 MRF5S9101NBR1 MRF5S9101MR1 MRF5S9101MBR1
Figure 15. MRF5S9101NR1(NBR1)/MR1(MBR1) 800 MHz Test Circuit Component Layout
C
C1
VGG
800 MHz
Rev 2
MRF5S9101N
VDD
R2
R1
C4 C7
R3
C16
C17
C10
C22
C19
C21
C8
C5
C2
C14
C13
C11
C18
C20
C12
C15
C9
C6
C3
Freescale has begun the transition of marking Printed Circuit Boards (PCBs) with the Freescale Semiconductor
signature/logo. PCBs may have either Motorola or Freescale markings during the transition period. These changes will have
no impact on form, fit or function of the current product.
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| MRF5S9101N | 制造商:-- 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-270 |
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| MRF5S9101NR1 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 100W 900MHZ26V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF5S9150HR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 900MHZ 150W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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