參數(shù)資料
型號(hào)： MRF5812R2
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 1/10頁(yè)
文件大小： 160K
代理商： MRF5812R2
1
MRF581 MRF5812R1, R2
MOTOROLA RF DEVICE DATA
The RF Line
NPN Silicon
High-Frequency Transistors
Designed for high current low power amplifiers up to 1.0 GHz.
Low Noise (2.0 dB @ 500 MHz)
Low Intermodulation Distortion
High Gain
State–of–the–Art Technology
Fine Line Geometry
Arsenic Emitters
Gold Top Metallization
Nichrome Thin–Film Ballasting Resistors
Excellent Dynamic Range
Fully Characterized
High Current–Gain Bandwidth Product
MRF5812 available in tape and reel packaging by adding suffix:
R1 suffix = 500 units per reel
R2 suffix = 2,500 units per reel
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
MRF581
MRF5812
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
18
15
Vdc
Collector–Base Voltage
VCBO
36
30
Vdc
Emitter–Base Voltage
VEBO
2.5
Vdc
Collector Current — Continuous
IC
200
mAdc
Thermal Resistance
θJC (1)
MRF581
R
θJC
40
°C/W
Thermal Resistance
θJC (1)
MRF5812
R
θJC
45
°C/W
Total Device Dissipation @ TC = 75°C (1)
Derate above TC = 75°C
MRF581
PD
1.88
25
Watts
mW/
°C
Total Device Dissipation @ TC = 75°C (1)
Derate above TC = 75°C
MRF5812
PD
1.67
22.2
Watts
mW/
°C
Storage Junction Temperature Range
Tstg
– 55 to +150
°C
Maximum Junction Temperature
TJmax
150
°C
DEVICE MARKING
MRF5812 = 5812
NOTE:
1. Case temperature measured on collector lead immediately adjacent to body of package.
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by MRF581/D
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MRF581
MRF5812R1, R2
IC = 200 mA
LOW NOISE
HIGH–FREQUENCY
TRANSISTORS
NPN SILICON
CASE 317–01, STYLE 2
MRF581
CASE 751–06, STYLE 1
SORF (SO–8)
MRF5812
Motorola, Inc. 1998
REV 9
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF581 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MRF5812 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MRF586 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD
MRF586 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39
MRF586 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF581A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
MRF581AG 功能描述:TRANS RF NPN 5GHZ 15V MACR0 X RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
MRF581AGT 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MRF581AGT - Bulk
MRF581G 功能描述:TRANS NPN 18V 200MA MACRO X RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
MRF581GT 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MRF581GT - Bulk
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