參數(shù)資料
型號： MRF5812
廠商： ADVANCED SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： M240, SO-8
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大小： 23K
代理商： MRF5812
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
REV. A
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 (818) 982-1200 FAX (818) 765-3004
1/1
Specifications are subject to change without notice.
CHARACTERISTICS TC = 25 °C
SYMBOL
NONETEST CONDITIONS
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
UNITS
BVCBO
IC = 1.0 mA
30
V
BVCEO
IC = 5.0 mA
15
V
BVEBO
IE = 0.1 mA
2.5
V
ICBO
VCB = 15 V
0.1
mA
IEBO
VCE = 2.0 V
0.1
mA
hFE
VCE = 5.0 V
IC = 50 mA
50
200
---
COB
VCB = 10 V
f = 1.0 MHz
1.4
2.0
pF
FTAU
VCE = 10 V
IC = 75 mA
f = 1.0 GHz
5.0
GHz
NFmin
GNF
GU max
MSG
|S21|
2
VCE = 10 V
IC = 50 mA
f = 500 MHz
13
2.0
15.5
17.8
20
15
3.0
dB
%
dB
NPN SILICON RF MICROWAVE TRANSISTOR
MRF5812
PACKAGE STYLE SO-8
DESCRIPTION:
The
ASI MRF5812 is Designed for
high current, low power, low noise,
amplifiers up to 1.0 GHz.
FEATURES:
Low Noise – 2.5 dB @ 500 MHz
Ftau – 5.0 GHz @ 10 V, 75 mA
Cost Effective SO-8 package
MAXIMUM RATINGS
IC
200 mA
VCBO
30 V
VCEO
15 V
VEBO
2.5 V
PDISS
1.25 W @ TC = 25 °C
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PDF描述
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MRF5812LF 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
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