參數(shù)資料
型號： MRF5812
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, M240, SO-8
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 121K
代理商： MRF5812
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MRF5812, R1, R2
MRF5812G, R1, R2
Rev A 9/2005
Efficien
cy
(%)
GPE
Freq
(MHz)
Freq
(MHz
)
Gu
Max
(dB)
IC
max
(mA)
Package
Device
IC
max
(mA)
RF (Low Power PA / General Purpose) Selection Guide
MACRO X
MRF559
NPN 870
0.5
6.5
70
7.5
16
150
MACRO X
MRF559
NPN 870
0.5
9.5
65 12.5 16
150
SO-8
MRF8372,R1,R2 NPN 870 0.75
8
55 12.5 16
200
POWER MACRO
MRF557
NPN 870
1.5
8
55 12.5 16
400
POWER MACRO
MRF557T
NPN 870
1.5
8
55 12.5 16
400
MACRO X
MRF559
NPN 512
0.5
10
65
7.5
16
150
MACRO X
MRF559
NPN 512
0.5
13
60 12.5 16
150
TO-39
2N3866A
NPN 400
1
10
45
28
30
400
SO-8
MRF3866, R1, R2 NPN 400
1
10
45
28
30
400
POWER MACRO
MRF555
NPN 470
1.5
11
50 12.5 16
400
POWER MACRO
MRF555T
NPN 470
1.5
11
50 12.5 16
400
SO-8
MRF4427, R2
NPN 175
0.15
18
60
12
20
400
TO-39
2N4427
NPN 175
1
10
50
12
20
400
POWER MACRO
MRF553
NPN 175
1.5
11.5
60
12.5
16
500
POWER MACRO
MRF553T
NPN 175
1.5
11.5
50
12.5
16
500
TO-39
MRF607
NPN 175
1.75
11.5
50
12.5
16
330
TO-39
2N6255
NPN 175
3
7.8
50
12.5
18 1000
TO-72
2N5179
NPN 200
20
6
12
50
Pout
(watts)
GPE
(dB)
GPE
VCC
BVCEO
Type
Package
Device
Type
NF
(d
B)
NF
IC
(mA)
NF
VCE
GNF
(dB)
Ftau
(MHz
)
Ccb(pF)
BVCEO
TO-39
2N5109
NPN 200
3
10
15
12
1200
3.5
20 400
TO-39
MRF5943C
NPN 200
3.4
30
15
11.4 1000
30 400
SO-8
MRF5943, R1, R2 NPN 200
3.4
30
15
1300
30 400
TO-72
2N5179
NPN 200
4.5 1.5
6
17
900
1
12
50
TO-72
2N2857
NPN 300
5.5
50
6
13
1600
1
15
40
TO-39
MRF517
NPN 300
7.5
50
15
5.5
4600
3
25 150
TO-72
MRF904
NPN 450
1.5
5
6
11
4000
1
15
30
TO-72
2N6304
NPN 450
5
2
5
14
1400
1
15
50
MACRO T
BFR91
NPN 500
1.9
2
5
11
16.5 5000
1
12
35
MACRO T
BFR96
NPN 500
2
10
14.5
500
2.6
15 100
SO-8
MRF5812, R1, R2 NPN 500
2
50
10 15.5 17.8 5000
15 200
MACRO X
MRF581A
NPN 500
2
50
10
14
15
5000
15 200
Macro
BFR90
NPN 500
2.4
2
10
15
18
5000
1
15
30
TO-72
BFY90
NPN 500
2.5
2
5
20
1300
15
50
TO-72
MRF914
NPN 500
2.5
5
10
15
4500
12
40
MACRO X
MRF581
NPN 500
2.5
50
10
15
17.8 5000
16 200
TO-39
MRF586
NPN 500
3
90
15
11
14.5 4500
2.2
17 200
MACRO X
MRF951
NPN 1000 1.3
5
6
14
17
8000 0.45 10 100
MACRO X
MRF571
NPN 1000 1.5
10
6
10
8000
1
10
70
MACRO T
BFR91
NPN 1000 2.5
2
5
8
11
5000
1
12
35
MACRO T
BFR90
NPN 1000
3
2
10
12.5 5000
1
15
30
TO-39
MRF545
PNP
14
1400
2
70 400
TO-39
MRF544
NPN
13.5 1500
70 400
RF (LNA / General Purpose) Selection Guide
1
2
3
1
2
3
4
1
2
3
4
8
5
Macro X
Power Macro
Macro T
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MRF5812GR1 功能描述:TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應商設備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
MRF5812GR2 功能描述:TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應商設備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
MRF5812LF 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
MRF5812LFR1 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
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